7月10日，深圳技术大学集成电路与光电芯片学院正式揭牌成立，2022年光电集成深圳论坛顺利举行。各方嘉宾学者齐聚一堂，共同见证，聚焦集成电路，共谋未来发展。
中国科学院院士祝世宁，美国国家工程院院士常瑞华，中国科学院院士俞大鹏，中国科学院院士郑泉水，坪山区委副书记、区长赵嘉，坪山区委常委、副区长叶青云，深圳高新技术产业促进中心主任王辉，中国科学院半导体研究所所长谭平恒，深圳技术大学校长阮双琛，各高校、企业代表及深圳技术大学师生代表参加活动。揭牌仪式由学校副主任徐刚主持。
深圳技术大学校长阮双琛向到场嘉宾表示欢迎与感谢。他在致辞中指出，深圳技术大学兴办粤港澳大湾区第一所集成电路与光电芯片学院，聘请世界纳米激光及半导体器件领域的领军人之一宁存政教授担任院长，致力于培养湾区产业发展急需的半导体和集成光电高端人才。作为坪山区唯一一所本科院校，深圳技术大学愿意为坪山区集成电路第三代半导体产业基地建设贡献力量，助力坪山建设成为全国集成电路产业集聚地、人才汇聚地、创新策源地。
他表示，当前全球正迎来新一轮科技革命和产业变革，突破“卡脖子”技术，把科技的命脉牢牢掌握在自己手中，成为每一位科技工作者的奋斗目标。打赢关键核心技术攻坚战，高校也要勇挑重担，这是学校成立集成电路与光电芯片学院的初衷。希望学院通过校企合作、产教融合等方式，建立一套培养高等技术领导者、未来技术原创者和技能卓越践行者的全新模式，努力打造全国集成电路领域的亮眼名片，以最优异的成绩服务深圳双区建设。
坪山区委副书记、区长赵嘉代表区委区政府对集成电路与光电芯片学院的揭牌、2022年光电集成深圳论坛的召开表示祝贺。她指出，作为深圳市重要的集成电路产业集聚区，坪山区聚集了多家国家专精特新“小巨人”企业，也初步建立了材料、设备、设计、制造、封装测试及下游应用的完整产业链，集成电路产业芯片制造行业的产值占全市比重超过60%。
她表示，希望集成电路与光电芯片学院的成立，能够加速学校与坪山区集成电路产业的深度融合，解决产业人才短缺问题，加快补齐科研短板，为全市乃至粤港澳大湾区集成电路产业的高质量集聚发展提供重要的人才和智力支撑。今后，坪山区委区政府将一如既往地支持深圳技术大学高质量发展，全力做好各项保障工作。
学院揭牌仪式后，2022年光电集成深圳论坛随即举行。论坛主题覆盖光电集成信息技术、芯片开发、人工智能、新能源和新材料等科技领域，探讨前沿科技攻关、分享科技成果、开展务实合作。为培养高层次创新型应用技术人才，推动前沿科技研发、成果转化、产业化应用等搭建交流平台，注入新思路、解决新难题、指引新方向。
宁存政从建立芯片生态系统、光电芯片的地位及作用、学院发展规划等方面介绍了国内半导体光电芯片发展状况，深圳技术大学集成电路与光电芯片学院成立的背景、目标及发展规划。他表示，学院面向集成电路和集成光电子领域的科技前沿和产业需求，以最终促成光电融合集成为目标，以解决当今和未来光电融合面临的材料、物理原理、器件设计和加工工艺等环节的关键技术和基础工程问题为使命，将在集成电路和光电芯片方面打造一个集“微纳加工平台”“光电子集成工程中心”“集成电路与光电学院”为一体的电-光融合生态系统，为粤港澳大湾区培养集成电路和光电芯片方面的技术领导者、前沿科技的创新者、未来产业的创业者、理论联系实际的践行者。
垂直腔面发射激光器(VCSEL)在晶圆规模制造及测试、高效率光耦合、低功耗、低制造成本及可以制造大阵列等方面有明显优势。VCSEL应用于3D传感可以从散斑的位移获得深度信息，具有很好的应用前景。传统的DBR-VCSEL技术面临着外延厚的挑战，而多种基于薄膜的HCG集成光学器件具有反射、共振、转弯、控制光学相位、衍射光学等多种优势。
俞大鹏认为，第四次工业革命是算力决定一切。量子通信、量子计算等相关量子科技已经成为国际强国间竞争的焦点，也成为了美国对我们进行全面技术封锁、设备禁运和人员来往阻断的高度限制领域，我国量子等高科技领域真正进入了“无人区”。报告对国内外科技尤其是量子科技的发展现状、挑战进行了全面的分析，阐述了深圳在量子科技领域的研究基础和优势，提出一些政策建议。
郑泉水首先介绍了超滑技术的诞生与关键进展、结构超滑技术指标的具体参数及其在航空航天、高端制造等领域的应用。基于结构超滑技术的超级微发电机能够在不同频率的外界激励下高效地将能量转化为尺寸微小、功率密度极高的电能。超滑结构与光电集成可以应用在MEMS微镜、超滑镜、激光、光栅及光开关、光驱动等方面。
黄卫平在线上做了报告。他介绍了电子与光波的发展历史。微电子集成包括技术能力、系统性能和经济效益三方面。光电子集成存在的问题在于带宽的扩容、集成的提高和性能的改善，硅基升级、应用扩展、光电融合是发展趋势。目前中国信息光电子产业面临“卡脖子”短板和求发展瓶颈的双重挑战，解决的策略是需要发挥市场机制与政府政策双轮驱动的独特优势，尽快弥补差距，实现跨越。
祝世宁从材料领域介绍了铌酸锂薄膜对光子学的影响。他首先阐述了铌酸锂晶体及主要性能、铌酸锂晶体中周期畴的制备及应用、铌酸锂晶体的掺杂工程与应用。薄膜铌酸锂具有低损耗、易调控和非线性的优势，可以应用于超大规模集成电路(微电子芯片)以及光电混合芯片。芯片级薄膜铌酸锂目前应用中存在的挑战是缺陷工程的监测，加工工艺刻蚀、抛光等加工工艺困难。展望10年后铌酸锂将有可能取代硅基作为高性能数据传输芯片的材料。
谭平恒从“一个工程中心”建设，“两个国重”重组工作全面介绍了中国科学院半导体研究所作为国家队科研单位的定位、主攻方向和开展的新兴前沿方向的研究情况。光电子器件国家工程中心面向我国对光电子领域工程化能力的重大需求，开发高性能器件自主化核心技术并推动新技术产业化。光电子材料与器件全国重点实验室的重组，围绕光电子材料与器件向易质异构集成、多维光电调控与多功能一体化发展趋势，促进了产学研融通与深度合作。(建丽 宋惠雪)
